#1楼主：覆晶载板技术开发动向

文章发表于：2008-06-20 12:11

覆晶载板技术开发动向

覆晶载板的生产技术是覆晶技术的具体表现，一般而言，覆晶制程中的，其产品的好坏有三个具有直接影响力的关键技术：封装前的KGD( Known Good Die, 已知良好芯片)技术、封装中的芯片接点（Bumping）技术及覆晶载板，覆晶载板的开发，便成为覆晶制程中最大的关键成功因素。下图一表示大致的IC载板开发动向，配合各别时期技术开发主流产品对应表示，并归纳出目前技术开发的重点如下：

图一 覆晶载板与其它IC载板的比较
 
（1）细线化（Fine Pitch）是技术层次演进方向
    m的程度。因此覆晶载板的将往Finem甚至35m演进到50随者覆晶构装的快速发展，覆晶构装芯片与基板的技术蓝图（Roadmap）如表一示，可看出线路距离已由75 Pitch的趋势前进。

（2）增层（Build-up）材料的改进将有助于简化制程及节省成本
    由于覆晶载板的技术属于PCB制程，因此在细线化的过程中将应用到许多Build up技术的底材(build-up substrate)，Build up PCB配合锡铅凸块的使用，进行覆晶构装制程，由于随着半导体凸块直径的缩小及间距的微细化，作为覆晶构装用的Build up PCB，除了材料本身的特性要求具备高耐热及低介电外，还必须通过覆晶封装可靠度的要求。