<?xml version="1.0" encoding="gb2312"?><rss version="2.0"><channel><title>电子设计DIYRss订阅 -- EDN电子设计技术</title><link></link><description></description><language>zh-cn</language><generator>Goodspeed Rss</generator><ttl>4</ttl><pubDate>Fri, 21 Nov 2008 11:40:50 GMT</pubDate><category></category><copyright></copyright><docs></docs><item><title>GaN基HEMT栅终端场板结构研究</title><pubDate>Thu, 18 Oct 2007 10:10:00 GMT</pubDate><link>http://group.ednchina.com/278/4556.aspx</link><description>１ 引言 与第一代半导体材料Ｓｉ和第二代半导体材料ＧａＡｓ相比，ＧａＮ材料有出色的电学、光学、热学特性。虽然ＧａＮ电子有效质量比ＧａＡｓ大，电子迁 移率远小于ＧａＡｓ，但是ＧａＮ材料的禁带宽度（３.４ｅＶ）、电子饱和速度（２×１０７ｃｍ／ｓ）、峰值速度（３×１０７ｃｍ／ｓ）均比ＧａＡｓ大，击穿电场（</description><comments></comments><guid>http://group.ednchina.com/278/4556.aspx</guid><category></category><author>彩云</author></item><item><title>SAW器件封装技术概述</title><pubDate>Thu, 18 Oct 2007 10:09:00 GMT</pubDate><link>http://group.ednchina.com/278/4555.aspx</link><description>1 引言 现今，随着整机尺寸的减小和元器件的高度集成，促进了元器件的小型化、薄型化。由于SAW(Surface Acoustic Wave)器件小型化并且有着出众的滤波功能，它们在许多领域的应用中扮演着非常重要的角色。小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力。传统用引线键合的陶瓷、金属、塑料封装形</description><comments></comments><guid>http://group.ednchina.com/278/4555.aspx</guid><category></category><author>彩云</author></item><item><title>陕西省电子设计获奖名单</title><pubDate>Thu, 27 Sep 2007 21:04:00 GMT</pubDate><link>http://group.ednchina.com/278/2354.aspx</link><description>陕西省电子设计获奖名单</description><comments></comments><guid>http://group.ednchina.com/278/2354.aspx</guid><category></category><author>sxj0456</author></item><item><title>(转贴)阻抗匹配</title><pubDate>Sun, 02 Sep 2007 21:43:00 GMT</pubDate><link>http://group.ednchina.com/278/1366.aspx</link><description>阻抗匹配是电路学里的重要议题，也是射频微波电路的重点。一般的传输线都是一端接电源，另一端接负载，此负载可能是天线或任何具有等效阻抗ZL的电路。传输线阻抗和负载阻抗达到匹配的定义，简单说就是：Z0=ZL。在阻抗匹配的环境中，负载端是不会反射电波的，换句话说，电磁能量完全被负载吸收。因为传输线的主要功能</description><comments></comments><guid>http://group.ednchina.com/278/1366.aspx</guid><category></category><author>sxj0456</author></item></channel></rss>