#2

文章发表于：2008-07-07 10:18

呵呵，我也想知道这两个的区别，

请问这两个能通过程序直接对它进行改写么？还是只能通过烧程序的方式对它进行修改？

这两个断电，数据会丢失么？

#3

文章发表于：2008-07-11 12:30

看来这个小组也没什么牛人嘛，连这个问题都没人能解释一下！

我很遗憾，都这么多天，管理员也不懂，还是太忙？

我现在知道了一些，但还是理解得不深！

#4

文章发表于：2008-07-11 14:28

我来讲两句。
根据我的理解，从半导体的结构上来说，EEPROM和FLASH没有太大的差别，两者应该来说是一样的。他们的半导体结构都是加了一个浮栅的MOS，如果 浮栅里面存储了电荷，那么MOS的源漏导通，表示0逻辑，如果浮栅中的电荷泻放完毕，那么MOS截止，表示逻辑1。在对这样的浮栅MOS进行更新时，有一 个放电和感应电荷的过程，这就是所谓的擦写，用过FLASH的同志应该都知道这点。从这方面来讲EEPROM和FLASH没有太大差别，他们是一样的。不 同的是EEPROM的擦写是以bit为单位的，FLASH是以块为单位的，所以我们在用诸如24C01、93C46之类的EEPROM时，都没有感觉到擦 写的过程，实际上你存储一个位时都会做这样的工作，擦写式比较耗时的，所以这类芯片都采用简单易用的慢速串行接口，例如I2C、SPI。FLASH是以块 为单元进行擦除的，效率会高很多，毕竟擦写速度慢，纯粹的读写快。
另外，我想说的是，EEPROM和FLASH和以前的紫外线擦除EPROM的基本原理类似，基本构成单元都是浮栅MOS，但不同的是浮栅MOS的绝缘层厚度不一样。

#5

文章发表于：2008-07-16 00:01

这个问题很多地方都有讨论啊

#6

文章发表于：2008-07-20 09:57

flash分nand和nor两种。
nor和eeprom差不多，可以按位擦写。
nand只能以块为单位工作。
现在的U盘一般是nand，容量可以做得很大。

#7

文章发表于：2008-07-20 09:58

更深入的区别要请教微电子专业的人，我们学电子的不会了解这么深。